CsPbX3（x=I、Br、Cl）、纳米晶-钙钛矿-发光二极管（PeLED）具有发光峰窄、色彩饱和度高、显示色域宽（~140%）和溶液处理的优点。它被认为是宽色域超高清显示的理想自主发光元件之一。然而，作为三基色之一的Pe·LED面临着亮度低、外量子效率（EQE大学）低、光谱稳定性差、使用寿命短等问题。因此，本文旨在通过量子限域效应、离子掺杂和表面配体工程，提高CsPbX3蓝光和纳米晶PeLED效率的稳定性，抑制卤素相分离，减少纳米晶的表面缺陷，提高蓝光纳米晶的光学性能和稳定性，优化设计Pe-LED器件的结构，提高载流子复合效率，提高电荷注入平衡，减少俄歇复合，Pe-LED实现高效稳定的纯蓝光（~470nm波长）。主要结果如下：在量子限域效应、CsP、bBr3和纳米晶，尺寸小于5的nm显示出蓝光发射，但其较高的比表面积将引入大量表面缺陷，导致纳米晶的光学性能低下和稳定性差。本文设计并开发了一种快速冷却合成方法。在合成过程中，小尺寸、宽禁带的CsP-bBr3晶粒首先在溶液中沉淀。由于远离供暖中心的纳米晶表面缺乏增长动力，非晶态cspbbrx（a-cspbbrx）外壳在小型CsP-bBr3-纳米晶表面原位形成，以实现纳米晶核壳结构（CsP-bBr3＠a-cspbbrx）。包覆在堆芯表面的非晶态壳可以有效钝化堆芯的表面缺陷，从而显著降低表面缺陷的状态密度，有助于形成缺陷以及核心层激子的辐射复合。结果显示，荧光量子产率（PLQ）在蓝光纳米晶的比例从54%上升到84%。a-cspbbrx外壳还可以防止氧气和水扩散到CsPbBr3的堆芯，并减弱外部高能光子对堆芯的光腐蚀，从而大大提高纳米晶的环境稳定性和光稳定性。制备的光致发光二极管展示了夏洛克·明亮和稳定的纯蓝色波长（~465nm）发射。尽管核壳结构和纳米晶表现出优异的蓝光发射性能，但无定形外壳较差，Sima搬到了CsPb2Br5，失去了荧光性能。此外，CsPbX3结构中的Cs＋离子尺寸较小，难以维持钙钛矿立方相晶体结构，容易发生相变。因此，本文在CsPbX3钙钛矿晶格中引入了一个二价Cu2+离子，以取代一些六价Cu2+离子。Cu 2+离子的引入引起晶格的整体收缩，缩短pb-x的键长，提高离子键结合能，进而提高晶体结构的稳定性。第一性原理计算结合同步辐射扩展X射线吸收精细结构谱（EXAFS）分析表明，Cu 2+离子取代Pb 2+进入晶格，导致晶格收缩，增加Pb与X轨道之间的相互作用，从而减少Pb－X6八面体畸变，减少卤化物空位，改善晶体结构的短程有序性。PLQ在蓝光CsPbX3和纳米晶的支持率超过80%。此外，较短的键长提高了钙钛矿晶格的形成能，这显著提高了掺Cu2+的纳米晶的能量。在室温下退火250分钟后，掺Cu2+的纳米晶薄膜仍然保持PLQy高于原始初始值的75%，而未掺Cu2+的纳米晶薄膜在超过150℃时消失。Cu2+掺杂纳米晶excellentArmenia为稳定高效的蓝光、钙钛矿和纳米晶PeLED的制备奠定了坚实的基础。用于器件制备的纳米晶通常需要经过多个纯化过程，这会导致纳米晶表面的不稳定配体脱落，导致纳米晶的稳定性和相变较差。为了解决上述问题，在上述工作的基础上开发了酸蚀辅助配体工程。利用氢溴酸（HBr）对纳米晶表面不完整的Pb－X6八面体进行蚀刻，以去除纳米晶表面的缺陷和过量的油酸配体，实现Pb2＋和Br－离子之间的精确协调。随后，引进双十二烷基胺（DDDAM）和苯乙胺（PEA）与纳米晶表面原有的长链有机配体进行原位配体交换，并结合蚀刻工艺产生的未配位位点，进一步消除纳米晶的表面缺陷和陷阱态，获得高质量的蓝色纳米晶，高稳定性和超低空位缺陷态密度。结果表明，纳米晶的PLQy从48%增加到97%，在紫外线照射和外部空气条件下表现出良好的稳定性。本文采用ITO/PEDOT：PSS／PVK／CsPbBr3／ZnO／Ag平面结构制备了Pe·LED。除顶部金属电极外，所有功能层均采用溶液旋涂工艺。PeLED的电致发光（EL）显示在470nm时发出纯蓝光，国际照明委员会（CIE）坐标为（0.13,0.11），这符合纯蓝光的颜色坐标。PeLED的外部量子效率（EQE）为4.7%，最大亮度为3850cd　m－2。此外，当初始亮度为102cd　m－2时，设备的工作半衰期（T50）达到12小时。已报告亮度和工作寿命比对于表现最佳的蓝光，Pe·LED的数量级更高。尽管上述蓝光Pe-LED显示出高亮度和工作稳定性，但仍然存在明显的效率衰减现象。这是因为在Pe-LED结构中，载流子迁移率的电子传输层（ETL）通常比载流子迁移率的空穴传输层（HTL）高一个数量级，导致不平衡的载流子注入，导致界面电荷积累和激子猝灭。空间分布不均匀的载流子会加速Pe-LED的俄歇复合过程，从而影响器件的性能。因此，本文设计了一种新的纳米晶薄膜结构。通过在两个蓝光CsPbBr3-纳米晶薄膜之间插入超薄ZnCl2层，形成三明治结构（SWP）的发光层。ZnCl2的中间层起到了电子屏障的作用，减少了电荷，从而平衡了Pe-LED中电子和空穴的传输。电荷复合区被调制远离发光层和HTL之间的界面，以减少界面处载流子聚集引起的激子猝灭和衰变。结果表明，PeLED的EL峰位于469nm，CIE的坐标为（0.13,0.11），显示出良好的纯蓝光发射。该装置的效率从4%提高到5%，效率滚降现象大大减少。最大亮度从7000cd　m－2增加到10410cd　m－2，这是Pe-LED蓝光报道的最高亮度之一。PeLED的半衰期在连续运行环境下从12小时增加到59小时，初始亮度为100cd　m－2，这是本报告中最稳定的Pe-LED蓝光