Lateral β-Ga2O3 Schottky barrier diode fabricated on（-201） single crystal substrate and its temperature-dependent current-voltage characteristics
作者：马培培; 郑军; 张亚宝; 刘香全; 刘智; 左玉华; 薛春来; 成步文
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LateralGa2O3肖特基势垒二极管（SBDs）每一个都是通过设计L形电子学在非共掺杂（-201）ntypeGa2O3单晶衬底上制造的。通过在导电通道两侧引入侧壁电子器件，SBD显示出223 MA/mm的高电流密度和4.7 m·cm~2的低导通电阻。研究了温度依赖性性能，并提取了肖特基势垒高度在1.3eV-and和1.35 EV之间的范围，温度范围为20到150。这些结果表明，横向Ga2O3 SBD具有未来电力电子应用的潜力