作为宽带隙半导体器件的代表，SiC器件具有优越的物理和电学特性，如高击穿场强、高饱和电子漂移率、高热导率峰、高电压、高频和高抗辐照。在卫星电源系统中有很大的应用潜力。介绍了卫星电源系统的发展现状和趋势，讨论了国际航空航天研究院对SiC电源装置在卫星电力推进系统中应用的研究现状，提出了SiC电源装置在卫星上的单粒子需求趋势。分析表明，SiC功率器件未来的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照强化技术的改进和器件的改进。